SiC涂層石墨基座常用于金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中支撐和加熱單晶襯底的部件。MOCVD設(shè)備是化合物半導(dǎo)體單晶襯底外延生長(zhǎng)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵設(shè)備,SiC涂層石墨基座的熱穩(wěn)定性、熱均勻性等性能參數(shù)對(duì)外延材料生長(zhǎng)的質(zhì)量起到?jīng)Q定性作用,因此是MOCVD設(shè)備的核心關(guān)鍵部件。選擇β-SiC(3C-SiC)晶型作為涂層,該晶型相比其他晶型具有良好的熱力學(xué)穩(wěn)定性、抗氧化性和耐腐蝕性等一系列優(yōu)...